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STMicroelectronics - STD1HNC60T4 - MOSFET N-CH 600V 2A DPAK - STD1HNC60T4
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STD1HNC60T4|STMicroelectronics
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STD1HNC60T4
制造商型号: STD1HNC60T4
制造商: STMicroelectronics
描述: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
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产品信息
数据列表 STD1HNC60
产品相片 TO-263
标准包装  2,500
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列PowerMESH™
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能标准
漏源极电压 (Vdss)600V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)2A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)5 欧姆 @ 1A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)15.5nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)228pF @ 25V
功率 - 最大值50W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装D-Pak
其它名称497-2485-2

旗下站点www.szcwdz.com相关详细信息: STD1HNC60T4
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