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STMicroelectronics - STB10NK60ZT - MOSFET,N沟道,600V,10A,SuperMESH,D2PAK - STB10NK60ZT
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STB10NK60ZT
制造商型号: STB10NK60ZT
制造商: STMicroelectronics
描述: MOSFET,N沟道,600V,10A,SuperMESH,D2PAK
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线: 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
典型关断延迟时间55 ns
典型接通延迟时间20 ns
典型栅极电荷@Vgs50 nC V @ 10
典型输入电容值@Vds1370 pF V @ 25
安装类型表面贴装
宽度9.35mm
封装类型D2PAK
尺寸10.4 x 9.35 x 4.6mm
引脚数目3
最低工作温度-55 °C
最大功率耗散115000 mW
最大栅源电压±30 V
最大漏源电压600 V
最大漏源电阻值0.75 Ω
最大连续漏极电流10 A
最高工作温度+150 °C
每片芯片元件数目1
类别功率 MOSFET
通道模式增强
通道类型N
配置
长度10.4mm
高度4.6mm

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