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STMicroelectronics - PD57006 - 射频 MOSFET,N沟道,65V,1A,PowerSO-10RF - PD57006
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PD57006
制造商型号: PD57006
制造商: STMicroelectronics
描述: 射频 MOSFET,N沟道,65V,1A,PowerSO-10RF
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线: 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
典型功率增益15 dB
典型输入电容值@Vds27 pF V @ 28
安装类型表面贴装
宽度9.4mm
封装类型Power SO 10RF
尺寸7.5 x 9.4 x 3.5mm
引脚数目4
最低工作温度-65 °C
最大功率耗散20 W
最大栅源电压±20 V
最大漏源电压65 V
最大连续漏极电流1 A
最高工作温度+165 °C
每片芯片元件数目1
类别射频 MOSFET
通道模式增强
通道类型N
配置
长度7.5mm
高度3.5mm

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