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SEMELAB - BUZ900 - 场效应管 MOSFET N TO-3 - BUZ900
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BUZ900|SEMELAB
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
BUZ900
制造商型号： BUZ900
制造商： SEMELAB
描述： 场效应管 MOSFET N TO-3
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
订购热线： 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！
产品信息
  • 场效应管 MOSFET N TO-3
  • 晶体管极性: N沟道
  • 电流, Id 连续: 8A
  • 漏源??压, Vds: 160V
  • 在电阻RDS（上）: 1.5ohm
  • 阈值电压, Vgs th 典型值: 1.5V
  • 功耗, Pd: 125W
  • 封装类型: TO-3
  • 针脚数: 2
  • SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
  • 功耗, Pd: 125W
  • 功耗, Pd: 125W
  • 器件标记: BUZ900
  • 封装/箱盒: TO-3
  • 封装类型, 其它: TO-204AA
  • 晶体管数: 1
  • 温度 @ 电流测量: 25°C
  • 满功率温度: 25°C
  • 漏极电流, Id 最大值: 8A
  • 电压, Vds 典型值: 160V
  • 电压, Vgs 最高: 1.5V
  • 表面安装器件: 通孔
产地： GB United Kingdom

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