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SANYO - 2SJ646-TL-E - 场效应管 MOSFET P沟道 30V 8A TO251 - 2SJ646TLE
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2SJ646-TL-E|SANYO
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2SJ646-TL-E
制造商型号： 2SJ646-TL-E
制造商： SANYO
描述： 场效应管 MOSFET P沟道 30V 8A TO251
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
订购热线： 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
  • 场效应管 MOSFET P沟道 30V 8A TO251
  • 晶体管极性: P沟道
  • 电流, Id 连续: 8A
  • 漏源电压, Vds: -30V
  • 在电阻RDS（上）: 75mohm
  • 电压 @ Rds测量: -10V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值: 2.6V
  • 功耗, Pd: 15W
  • 封装类型: TP-FA
  • 针脚数: 3
  • 功耗, Pd: 15W
  • 封装/箱盒: TP-FA
  • 漏极电流, Id 最大值: -8A
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量: 10V
  • 电压, Vds 典型值: 30V
  • 电压, Vgs 最高: -20V
  • 表面安装器件: SMD

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