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Renesas Electronics America - NP82N06MLG-S18-AY - MOSFET N-CH TO-220 - NP82N06MLGS18AY
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NP82N06MLG-S18-AY|Renesas Electronics America
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
NP82N06MLG-S18-AY
制造商型号: NP82N06MLG-S18-AY
制造商: Renesas Electronics America
描述: MOSFET N-CH TO-220
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线: 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
数据列表 NP82N06(M,N)LG
产品相片 TO-220-3, TO-220AB
标准包装  900
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列-
包装  管件  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)82A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)7.4 毫欧 @ 41A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)160nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)8550pF @ 25V
功率 - 最大值1.8W
安装类型通孔
封装/外壳TO-220-3
供应商器件封装TO-220-3

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