数据列表 | NP82N06(M,N)LG |
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产品相片 | TO-220-3, TO-220AB |
标准包装 | 900 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | - |
包装 | 管件 |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源极电压 (Vdss) | 60V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 82A (Tc) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 7.4 毫欧 @ 41A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 160nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 8550pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 1.8W |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 |
供应商器件封装 | TO-220-3 |