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Renesas Electronics America - NP180N04TUG-E1-AY - MOSFET N-CH 40V 180A TO-263-7 - NP180N04TUGE1AY
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NP180N04TUG-E1-AY
制造商型号: NP180N04TUG-E1-AY
制造商: Renesas Electronics America
描述: MOSFET N-CH 40V 180A TO-263-7
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
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产品信息
数据列表 NP180N04TUG
标准包装  800
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列-
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)40V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)180A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)1.5 毫欧 @ 90A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)390nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)25700pF @ 25V
功率 - 最大值1.8W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-263-7,D²Pak(6 引线+接片)
供应商器件封装TO-263-7

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