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ROHM - RUM003N02T2L - 场效应管 MOSFET N沟道 20V 0.3A VMT3 - RUM003N02T2L
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RUM003N02T2L|ROHM
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
RUM003N02T2L
制造商型号: RUM003N02T2L
制造商: ROHM
描述: 场效应管 MOSFET N沟道 20V 0.3A VMT3
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线: 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
  • 场效应管 MOSFET N沟道 20V 0.3A VMT3
  • 晶体管极性: N沟道
  • 电流, Id 连续: 300mA
  • 漏源电压, Vds: 20V
  • 在电阻RDS(上): 700mohm
  • 电压 @ Rds测量: 4V
  • 功耗, Pd: 150mW
  • 封装类型: VMT
  • 针脚数: 3
  • SVHC(高度关注物质): No SVHC (18-Jun-2012)
  • 漏极电流, Id 最大值: 300mA
  • 电压, Vgs 最高: 8V

旗下站点www.szcwdz.com相关详细信息: RUM003N02T2L
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