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NXP - PMV40UN,21 - MOSFET,N沟道,30V,4.9A,TO236AB - PMV40UN21
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PMV40UN,21
制造商型号: PMV40UN,21
制造商: NXP
描述: MOSFET,N沟道,30V,4.9A,TO236AB
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线: 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
典型关断延迟时间38 ns
典型接通延迟时间6 ns
典型栅极电荷@Vgs9.3 nC V @ 4.5
典型输入电容值@Vds445 pF V @ 30
安装类型表面贴装
宽度1.4mm
封装类型TO-236AB
尺寸3 x 1.4 x 1mm
引脚数目3
最低工作温度-55 °C
最大功率耗散1.9 W
最大栅源电压±8 V
最大漏源电压30 V
最大漏源电阻值0.047 Ω
最大连续漏极电流4.9 A
最高工作温度+150 °C
每片芯片元件数目1
类别功率 MOSFET
通道模式增强
通道类型N
配置
长度3mm
高度1mm

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