NXP - BUK662R7-55C,118 - BUK662R7 系列 55 V 2.7 mΩ N 沟道 TrenchMos 中等电平 FET - D2PAK - BUK662R755C118
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BUK662R7-55C,118
- BUK662R7 系列 55 V 2.7 mΩ N 沟道 TrenchMos 中等电平 FET - D2PAK - BUK662R755C118
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BUK662R7-55C,118
制造商型号:
BUK662R7-55C,118
制造商:
NXP
描述:
BUK662R7 系列 55 V 2.7 mΩ N 沟道 TrenchMos 中等电平 FET - D2PAK
技术参考:
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库存状态:
实时库存查询
所在地:
深圳全新原装现货
备注:
代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线:
400-900-3095, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
产品信息
Channel Type:
N-Channel
Drain-to-Source Voltage [Vdss]:
55 V
Drain-Source On Resistance-Max:
2.7 mΩ
Qg Gate Charge:
146 nC
Rated Power Dissipation:
306 W
旗下站点
www.szcwdz.com
相关详细信息:
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www.szcwdz.com.cn
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型号: BUK662R7-55C,118 品牌: NXP 备注: BUK662R7 系列 55 V 2.7 mΩ N 沟道 TrenchMos 中等电平 FET - D2PAK
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