NXP - 2N7002BKS - 场效应管 MOSFET 双N沟道 60V 0.3A SOT363 - 2N7002BKS
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- 场效应管 MOSFET 双N沟道 60V 0.3A SOT363 - 2N7002BKS
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2N7002BKS
制造商型号:
2N7002BKS
制造商:
NXP
描述:
场效应管 MOSFET 双N沟道 60V 0.3A SOT363
技术参考:
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库存状态:
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所在地:
深圳全新原装现货
备注:
代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线:
400-900-3095, QQ:
800152669
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sales@szcwdz.com
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产品信息
场效应管 MOSFET 双N沟道 60V 0.3A SOT363
晶体管极性: N沟道
电流, Id 连续: 300mA
漏源电压, Vds: 60V
在电阻RDS(上): 1ohm
电压 @ Rds测量: 10V
阈值电压, Vgs th 典型值: 1.6V
功耗, Pd: 295mW
工作温度最小值: -55°C
工作温度最高值: 150°C
封装类型: SOT-363
针脚数: 6
SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
功耗, Pd: 295mW
工作温度范围: -55°C 至 +150°C
模块配置: 双N通道
漏源电压 Vds, N沟道: 60V
连续漏极电流 Id, N沟道: 300mA
通态电阻 Rds(on), N沟道: 1.3ohm
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型号: 2N7002BKS 品牌: NXP 备注: 场效应管 MOSFET 双N沟道 60V 0.3A SOT363
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