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Magnatec - 2N684 - MOSFET,P沟道,100V,4A,TO-39 - 2N684
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2N684
制造商型号: 2N684
制造商: Magnatec
描述: MOSFET,P沟道,100V,4A,TO-39
技术参考: PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线: 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
典型关断延迟时间50 ns
典型接通延迟时间60 ns
典型栅极电荷@Vgs16.3 nC V @ 10
典型输入电容值@Vds380 pF V @ 25
安装类型通孔
宽度9.4mm
封装类型TO-39
尺寸9.4 x 9.4 x 4.57mm
引脚数目3
最低工作温度-55 °C
最大功率耗散20 W
最大栅源电压±20 V
最大漏源电压100 V
最大漏源电阻值0.69 Ω
最大连续漏极电流4 A
最高工作温度+150 °C
每片芯片元件数目1
类别功率 MOSFET
通道模式增强
通道类型P
配置
长度9.4mm
高度4.57mm

旗下站点www.szcwdz.com相关详细信息: 2N684
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