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Infineon Technologies - BFP 640F E6327 - 射频硅锗晶体管 TRANS GP BJT NPN 4V 0.05A - BFP640FE6327
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BFP 640F E6327
制造商型号: BFP 640F E6327
制造商: Infineon Technologies
描述: 射频硅锗晶体管 TRANS GP BJT NPN 4V 0.05A
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线: 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
制造商:Infineon
产品种类:射频硅锗晶体管
RoHS: 符合
发射极 - 基极电压 VEBO:1.2 V
集电极连续电流:0.05 A
功率耗散:200 mW
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:TSFP
封装:Reel
集电极—发射极最大电压 VCEO:4 V
最大工作频率:40000 MHz
最大工作温度:+ 150 C
最小工作温度:- 65 C
零件号别名:BFP640FE6327XT

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