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IXYS - IXTA26P20P - MOSFET P-CH 200V 26A TO-263 - IXTA26P20P
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IXTA26P20P|IXYS
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IXTA26P20P
制造商型号: IXTA26P20P
制造商: IXYS
描述: MOSFET P-CH 200V 26A TO-263
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
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产品信息
数据列表 IX(T,H,P,Q)A26P20P
产品相片 TO-263
标准包装  50
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列PolarP™
包装  管件  
FET 类型MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能标准
漏源极电压 (Vdss)200V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)26A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)170 毫欧 @ 13A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)56nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)2740pF @ 25V
功率 - 最大值300W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商器件封装TO-263

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