PDF查询| 数据列表 | IRFHM8363PbF |
|---|---|
| 设计资源 | IRFHM8363TR2PBF Saber Model IRFHM8363TR2PBF Spice Model |
| 标准包装 | 400 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 阵列 |
| 系列 | HEXFET® |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 30V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 11A |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 14.9 毫欧 @ 10A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 2.35V @ 25µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 15nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1165pF @ 10V |
| 功率 - 最大值 | 2.7W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
| 供应商器件封装 | 8-PQFN（3.3X3.3），Power33 |
| 其它名称 | IRFHM8363TR2PBFTR |
