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Fairchild Semiconductor - FQPF3N90 - MOSFET N-CH 900V 2.1A TO-220F - FQPF3N90
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FQPF3N90|Fairchild Semiconductor
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FQPF3N90
制造商型号: FQPF3N90
制造商: Fairchild Semiconductor
描述: MOSFET N-CH 900V 2.1A TO-220F
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
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产品信息
数据列表 FQPF3N90
产品相片 TO-220AB
标准包装  50
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列QFET™
包装  管件  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能标准
漏源极电压 (Vdss)900V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)2.1A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)4.25欧姆 @ 1.05A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)26nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)910pF @ 25V
功率 - 最大值43W
安装类型通孔
封装/外壳TO-220-3 整包
供应商器件封装TO-220F

旗下站点www.szcwdz.com相关详细信息: FQPF3N90
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