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Fairchild Semiconductor - FDC6506 - MOSFET,P沟道,30V,1.8A,SuperSOT6 - FDC6506
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FDC6506
制造商型号: FDC6506
制造商: Fairchild Semiconductor
描述: MOSFET,P沟道,30V,1.8A,SuperSOT6
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线: 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
典型关断延迟时间14 ns
典型接通延迟时间7 ns
典型栅极电荷@Vgs2.3 nC V @ -10
典型输入电容值@Vds190 pF V @ -15
安装类型表面贴装
宽度1.7mm
封装类型SuperSOT
尺寸3 x 1.7 x 1mm
引脚数目6
最低工作温度-55 °C
最大功率耗散0.96 W
最大栅源电压±20 V
最大漏源电压-30 V
最大漏源电阻值0.28 Ω
最大连续漏极电流-1.8 A
最高工作温度+150 °C
每片芯片元件数目2
类别功率 MOSFET
通道模式增强
通道类型P
配置双漏极
长度3mm
高度1mm

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