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Fairchild Semiconductor - BF199_Q - 两极晶体管 - BJT NPN RF Transistor - BF199Q
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BF199_Q|Fairchild Semiconductor
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
BF199_Q
制造商型号: BF199_Q
制造商: Fairchild Semiconductor
描述: 两极晶体管 - BJT NPN RF Transistor
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线: 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
产品信息
制造商:Fairchild Semiconductor
RoHS:
配置:Single
晶体管极性:NPN
集电极—基极电压 VCBO:40 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:25 V
发射极 - 基极电压 VEBO:4 V
最大直流电集电极电流:0.05 A
增益带宽产品fT:1.1 GHz
直流集电极/Base Gain hfe Min:38 at 7 mA at 10 V
最大工作温度:+ 150 C
安装风格:Through Hole
封装 / 箱体:TO-92
最大功率耗散:350 mW
最小工作温度:- 55 C
封装:Bulk

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