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EPC - EPC2007 - TRANS 100V 30MO BUMPED DIE - EPC2007
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EPC2007|EPC
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EPC2007
制造商型号: EPC2007
制造商: EPC
描述: TRANS 100V 30MO BUMPED DIE
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线: 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
产品信息
数据列表 EPC2007
产品相片 EPCxxxx
应用说明 Second Generation eGaN® FETs
Assembling eGaN® FETS
Using eGaN® FETs
产品培训模块 Paralleling eGaN? FETs
产品变化通告 EPC20xx Material Change 10/Apr/2013
视频文件 EPC eGaN FETs -- Another Geek Moment | DigiKey
标准包装  1,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列eGaN®
包装  带卷 (TR)  
FET 类型GaNFET N 通道,氮化镓
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)100V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)6A (Ta)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)30 毫欧 @ 6A,5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 1.2mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)2.1nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)205pF @ 50V
功率 - 最大值-
安装类型表面贴装
封装/外壳模具剖面(5 焊条)
供应商器件封装模具剖面(5 焊条)
其它名称917-1015-2

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