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EPC - EPC1010 - TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE - EPC1010
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EPC1010|EPC
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EPC1010
制造商型号: EPC1010
制造商: EPC
描述: TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线: 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
数据列表 EPC1010
产品相片 EPC1010
应用说明 Second Generation eGaN® FETs
Thermal Performance of eGaN® FETs
Assembling eGaN® FETS
Using eGaN® FETs
产品变化通告 EPC1xxx Series Obsolescence 09/Sept/2011
视频文件 EPC eGaN FETs -- Another Geek Moment | DigiKey
RoHS指令信息 Lead Free/RoHS Statement
标准包装  500
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列eGaN®
包装  带卷 (TR)  
FET 类型GaNFET N 通道,氮化镓
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)200V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)12A (Ta)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)25 毫欧 @ 6A,5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 1.2mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)7.5nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)440pF @ 100V
功率 - 最大值-
安装类型表面贴装
封装/外壳7-SMD,凸引线
供应商器件封装7-LGA(3.6x1.6)
产品目录页面1599 (CN2011-ZH PDF)
其它名称917-1004-2

旗下站点www.szcwdz.com相关详细信息: EPC1010
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