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Diodes Inc - ZXMHC3A01T8TA - MOSFET H-BRIDGE DUAL SOT223-8 - ZXMHC3A01T8TA
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ZXMHC3A01T8TA|Diodes Inc
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ZXMHC3A01T8TA
制造商型号: ZXMHC3A01T8TA
制造商: Diodes Inc
描述: MOSFET H-BRIDGE DUAL SOT223-8
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
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产品信息
数据列表 ZXMHC3A01T8TA
产品相片 SOT-223-8
标准包装  1,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 阵列
系列-
包装  带卷 (TR)  
FET 类型2 个 N?通道和 2 个 P 通道(H 桥)
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)2.7A,2A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)120 毫欧 @ 2.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)3.9nC @ 15V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)190pF @ 25V
功率 - 最大值1.3W
安装类型表面贴装
封装/外壳SOT-223-8
供应商器件封装SM8
产品目录页面1470 (CN2011-ZH PDF)
其它名称ZXMHC3A01T8TA-ND
ZXMHC3A01T8TR

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