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Diodes Inc - DMS3019SSD-13 - MOSFET 2N-CH 30V 7A/5.7A SO8 - DMS3019SSD13
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DMS3019SSD-13|Diodes Inc
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DMS3019SSD-13
制造商型号: DMS3019SSD-13
制造商: Diodes Inc
描述: MOSFET 2N-CH 30V 7A/5.7A SO8
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
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产品信息
数据列表 DMS3019SSD
产品相片 8-SOIC
标准包装  2,500
类别分立半导体产品
家庭FET - 阵列
系列-
包装  带卷 (TR)  
FET 类型2 个 N 沟道(双)
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)7A,5.7A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)15 毫欧 @ 9A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2.4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)42nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)1932pF @ 15V
功率 - 最大值1.19W
安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装8-SOIC
其它名称DMS3019SSD-13DITR
DMS3019SSD13

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