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Diodes Inc - DMN63D8LV-7 - MOSFET N-CH 30V DUAL SOT563 - DMN63D8LV7
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DMN63D8LV-7|Diodes Inc
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DMN63D8LV-7
制造商型号: DMN63D8LV-7
制造商: Diodes Inc
描述: MOSFET N-CH 30V DUAL SOT563
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
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产品信息
数据列表 DMN63D8LV
产品相片 SOT-563
标准包装  3,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 阵列
系列-
包装  带卷 (TR)  
FET 类型2 个 N 沟道(双)
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)260mA
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)2.8 欧姆 @ 250mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)870nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)22pF @ 25V
功率 - 最大值450mW
安装类型表面贴装
封装/外壳SOT-563,SOT-666
供应商器件封装SOT-563
其它名称DMN63D8LV-7DITR
DMN63D8LV7

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