数据列表 | 2N7002E Datasheet |
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产品相片 | SOT23 |
PCN Design/Specification | Green Encapsulate 15/May/2008 Bond Wire 3/May/2011 |
标准包装 | 3,000 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | - |
包装 | 带卷 (TR) |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源极电压 (Vdss) | 60V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 250mA |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 3 欧姆 @ 250mA,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 223pC @ 4.5V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 50pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 370mW |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
供应商器件封装 | SOT-23-3 |
其它名称 | 2N7002E-7-F-ND 2N7002E7F |