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STMicroelectronics - STB155N3LH6 - MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK - STB155N3LH6
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STB155N3LH6|STMicroelectronics
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STB155N3LH6
制造商型号:
STB155N3LH6
制造商: STMicroelectronics
描述: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
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产品信息
数据列表 ST(B,D)155N3LH6
产品相片 TO-263
其它有关文件 STB155N3LH6 View All Specifications
标准包装  50
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列STripFET™ DeepGATE™
包装  管件  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)80A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)3 毫欧 @ 40A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)80nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)3800pF @ 25V
功率 - 最大值110W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商器件封装D²PAK
其它名称497-11323-5

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