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Cree Inc - C2M0080120D - SIC MOSFET N-CH 1200V 31A TO247 - C2M0080120D
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C2M0080120D|Cree Inc
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C2M0080120D
制造商型号: C2M0080120D
制造商: Cree Inc
描述: SIC MOSFET N-CH 1200V 31A TO247
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
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产品信息
数据列表 C2M0080120D
产品相片 C2M0080120D
应用说明 SiC MOSFET Isolated Gate Driver
标准包装  30
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列Z-FET™
包装  散装  
FET 类型SiCFET N 通道,碳化硅
FET 功能标准
漏源极电压 (Vdss)1200V(1.2kV)
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)31.6A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)98 毫欧 @ 20A, 20V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2.2V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)49.2nC @ 20V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)950pF @ 1000V
功率 - 最大值208W
安装类型通孔
封装/外壳TO-247-3
供应商器件封装TO-247-3

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